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L2N7002WT1G /MOSFET
L2N7002WT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

技术:Si

封装形式Package:SC-70

极性Polarity:N(with ESD)

漏源极击穿电压VDSS:60V

连续漏极电流ID:0.115A

漏源极导通电阻RDS(ON):7.5Ohms

栅源极阀值电压VGS(th):1V

封装/外壳:SC-70

VDSS(V):60

ID(A):.115

VGS(th)Min(V):1

VGS(th)Max(V):2.5

RDS(on) (m?):7500

@VGS(V)/IDS(A):10/0.5

Polarity:N-Channel(with ESD)

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商L2N7002WT1G
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现代芯城(深圳)科技有限公司L2N7002WT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司L2N7002WT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司L2N7002WT1G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司L2N7002WT1G航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司L2N7002WT1G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市兴中芯科技有限公司L2N7002WT1G深圳市福田区华强北路1015号赛格科技园4栋中8A6513113670037
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L2N7002WT1GSmall Signal MOSFET 115 mA, 60 V N-Channel SOT-323 LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO279.05 Kbytes共7页L2N7002WT1G的PDF下载地址2N7002L,NTJD4401N_06,2N7002MTF_01,2N7000,2N7002,2N7002,DDTC123EUA_1,NTJS4405N,2N7002DW
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L2N7002WT1GLRC Leshan Radio Co LtdSMALL SIGNAL MOSFEO3,000 : $0.025
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27,000 : $0.02
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L2N7002WT1GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道50+:¥0.105156
500+:¥0.081165
1500+:¥0.076759
5000+:¥0.072353
25000+:¥0.070394
50000+:¥0.069426