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L2N7002SLT1G /
L2N7002SLT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

封装形式Package:SOT-23

极性Polarity:N(with ESD)

漏源极击穿电压VDSS:60V

连续漏极电流ID:0.38A

漏源极导通电阻RDS(ON):2.80hms

栅源极阀值电压VGS(th):1V

封装/外壳:SOT-23

VDSS(V):60

ID(A):.38

VGS(th)Min(V):1

VGS(th)Max(V):2

RDS(on) (m?):2800

@VGS(V)/IDS(A):10/0.5

Polarity:N-Channel(with ESD)

无铅情况/RoHs:

供应商L2N7002SLT1G
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深圳市成源运利电子科技有限公司L2N7002SLT1G深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
15913992480
林先生Email:244673889@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司L2N7002SLT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司L2N7002SLT1G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市坤融电子有限公司L2N7002SLT1G航都大厦10I0755-23990975
17318082080,13510287235
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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深圳市百域芯科技有限公司L2N7002SLT1G世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市宇浩扬科技有限公司L2N7002SLT1G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市河锋鑫科技有限公司L2N7002SLT1G华强北都会轩26010755-23903154
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芯莱德电子(香港)有限公司L2N7002SLT1G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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L2N7002SLT1GSmall Signal MOSFET380mAmps, 60 Volts LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO879.18 Kbytes共7页L2N7002SLT1G的PDF下载地址
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L2N7002SLT1GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道50+:¥0.088171
500+:¥0.068548
1500+:¥0.064943
5000+:¥0.061339
25000+:¥0.059737
50000+:¥0.058946