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L2N7002DW1T1G /MOSFET
L2N7002DW1T1G的规格信息
L2N7002DW1T1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

技术:Si

封装形式Package:SC-88

极性Polarity:Dual-N(with ESD)

漏源极击穿电压VDSS:60V

连续漏极电流ID:0.115A

漏源极导通电阻RDS(ON):7.5Ohms

栅源极阀值电压VGS(th):1V

封装/外壳:SC-88

VDSS(V):60

ID(A):.115

VGS(th)Min(V):1

VGS(th)Max(V):2

RDS(on) (m?):7500

@VGS(V)/IDS(A):10/0.5

Polarity:Dual-N-Channel(with ESD)

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商L2N7002DW1T1G
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现代芯城(深圳)科技有限公司L2N7002DW1T1Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司L2N7002DW1T1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市琛凡科技有限公司L2N7002DW1T1G深圳市福田区华强电子世界一店2号楼四层24C15613922854643,13302437441马小姐Email:1045082228@qq.com询价
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L2N7002DW1T1GSmall Signal MOSFEO 115 mAmps, 60 Volts LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO569.41 Kbytes共6页L2N7002DW1T1G的PDF下载地址2N7000_07,BS107_04,BS108,BS107_07,SPD5711,MMBZ5V6A,BAV19WS,2N7002L,BS170_05,FM723-NS
L2N7002DW1T1G_15Small Signal MOSFET LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO406.97 Kbytes共6页L2N7002DW1T1G_15的PDF下载地址
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L2N7002DW1T1GLRC Leshan Radio Co LtdSMALL SIGNAL MOS 115 MAMPS 60V3,000 : $0.0325
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L2N7002DW1T1GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA(Tc) 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):380mW 类型:双N沟道20+:¥0.172232
200+:¥0.134641
600+:¥0.127736
2000+:¥0.120832
10000+:¥0.117763
20000+:¥0.116247