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L2N7002LT1G /MOSFET
L2N7002LT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

技术:Si

封装形式Package:SOT-23

极性Polarity:N(with ESD)

漏源极击穿电压VDSS:60V

连续漏极电流ID:0.115A

漏源极导通电阻RDS(ON):7.5Ohms

栅源极阀值电压VGS(th):1V

封装/外壳:SOT-23

VDSS(V):60

ID(A):.115

VGS(th)Min(V):1

VGS(th)Max(V):2

RDS(on) (m?):7500

@VGS(V)/IDS(A):10/0.5

Polarity:N-Channel(with ESD)

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商L2N7002LT1G
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现代芯城(深圳)科技有限公司L2N7002LT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司L2N7002LT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市成源运利电子科技有限公司L2N7002LT1G深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市天卓伟业电子有限公司L2N7002LT1G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
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杨先生Email:sam@678ic.com询价
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深圳市德州众泰科技有限公司L2N7002LT1G/SOT-23深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
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廖小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市百域芯科技有限公司L2N7002LT1G世纪汇都会轩45070755-82788062
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深圳市宇浩扬科技有限公司L2N7002LT1G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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L2N7002LT1GSmall Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO70.67 Kbytes共3页L2N7002LT1G的PDF下载地址L2N7003LT1,BS107,2N7000,VN2222LL,2N7002L,WSD551H,BSS84,BSS138,BSS123LT1,CMT2N7000
L2N7002LT1GSmall Signal MOSFET 115 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–23 LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO151.93 Kbytes共4页L2N7002LT1G的PDF下载地址
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L2N7002LT1GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):- 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道50+:¥0.081112
500+:¥0.06083
1500+:¥0.057105
5000+:¥0.053379
25000+:¥0.051724
50000+:¥0.050906