FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.7A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：38nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：490pF @ 25V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），54W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：8 欧姆 @ 1A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

封装形式Package：TO-262-3

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：900V

连续漏极电流ID：1.7A

漏源极导通电阻RDS(ON)：8Ohms

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs