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IRFBC40PBF /MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
IRFBC40PBF的规格信息
IRFBC40PBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220AB-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:6.2 A

Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:60 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.49 mm

长度:10.41 mm

系列:IRFBC

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.7 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:4.7 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:55 ns

典型接通延迟时间:13 ns

单位重量:6 g

供应商IRFBC40PBF
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现代芯城(深圳)科技有限公司IRFBC40PBFwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司IRFBC40PBF华强广场C座18J0755-27381274
18098996457
董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IRFBC40PBF航都大厦10I0755-23990975
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IRFBC40PBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
集好芯城IRFBC40PBF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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深圳市芯泽盛世科技有限公司IRFBC40PBF龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
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芯莱德电子(香港)有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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13352985419
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
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深圳市仓实科技有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
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深圳市宇浩扬科技有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
深圳市赛美科科技有限公司IRFBC40PBF广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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深圳市华芯盛世科技有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IRFBC40PBF深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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深圳市凌特半导体科技有限公司IRFBC40PBF广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
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IRFBC40PBFHEXFET POWER MOSFET (VDSS=600V , RDS(on)=1.2Ohm , ID=6.2A) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO3563.0 Kbytes共7页IRFBC40PBF的PDF下载地址IRFZ34VPBF,IRF7210PBF,IRFR210PBF,IRFR3707ZCPBF,IRF5210SPBF,IRF7460PBF,IRFBC40APBF,IRFP340PBF,IRFS4410PBF,IRLL024NPBF
IRFBC40PBFPower MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO590.8 Kbytes共8页IRFBC40PBF的PDF下载地址RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06
IRFBC40PBFPower MOSFET KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]的LOGO2988.06 Kbytes共7页IRFBC40PBF的PDF下载地址
IRFBC40PBF-BE3MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220ABVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO636.28 Kbytes共9页IRFBC40PBF-BE3的PDF下载地址
IRFBC40PBF的全球分销商及价格
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元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
IRFBC40PBFSiliconix / VishayIRFBC40PBF N-channel MOSFET Transistor, 6.2 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB+1000:$3.86
+2000:$3.09
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
IRFBC40PBFVishay PCSMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 600V,RDS(ON) 1.2 Ohms,ID 6.2A,TO-220AB,PD 125W,VGS+/-20V+1000:$1.70
+50000:$1.68
+100000:$1.65
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)
IRFBC40PBFVishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp1+:¥9.44
10+:¥7.59
100+:¥6.09
500+:¥6.09
1000+:¥5.6701
2000+:¥5.21
5000+:¥5.1601
10000+:¥4.96
25000+:¥4.9350+:¥4.13
100+:¥4.11
500+:¥3.500150+:¥3.859925+:¥11.15
100+:¥10.0101
250+:¥8.96
500+:¥7.81+:¥6.31
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
IRFBC40PBFVishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp1+:¥9.44
10+:¥7.59
100+:¥6.09
500+:¥6.09
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100+:¥4.11
500+:¥3.5001
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRFBC40PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB$2.18000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRFBC40PBF-BE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB$1.98000
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Future(富昌)
IRFBC40PBFVishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp1+:¥9.44
10+:¥7.59
100+:¥6.09
500+:¥6.09
1000+:¥5.6701
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5000+:¥5.1601
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25000+:¥4.9350+:¥4.13
100+:¥4.11
500+:¥3.500150+:¥3.8599
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Mouser 贸泽电子
IRFBC40PBFVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp1:¥13.9894
10:¥11.6842
100:¥9.0626
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRFBC40PBFVishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp1+:¥9.44
10+:¥7.59
100+:¥6.09
500+:¥6.09
1000+:¥5.6701
2000+:¥5.21
5000+:¥5.1601
10000+:¥4.96
25000+:¥4.93
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)
IRFBC40PBFVishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp1+:¥9.44
10+:¥7.59
100+:¥6.09
500+:¥6.09
1000+:¥5.6701
2000+:¥5.21
5000+:¥5.1601
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25000+:¥4.9350+:¥4.13
100+:¥4.11
500+:¥3.500150+:¥3.859925+:¥11.15
100+:¥10.0101
250+:¥8.96
500+:¥7.8
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Verical
IRFBC40PBFVishayFET - 单 - 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp1+:¥9.44
10+:¥7.59
100+:¥6.09
500+:¥6.09
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2000+:¥5.21
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100+:¥4.11
500+:¥3.500150+:¥3.859925+:¥11.15
100+:¥10.0101
250+:¥8.96
500+:¥7.81+:¥6.311+:¥3.77
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
IRFBC40PBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 3.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道1+:¥13.32
10+:¥10.035
30+:¥9.432
100+:¥8.829
500+:¥8.559
1000+:¥8.424