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IRFBC42 /N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFBC42的规格信息
IRFBC42的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series*

PackageBulk

FET Type-

Technology-

Drain to Source Voltage (Vdss)-

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs-

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)-

Operating Temperature-

Mounting Type-

Supplier Device Package-

Package / Case-

供应商IRFBC42
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深圳市芯幂科技有限公司IRFBC42深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市恒毅达科技有限公司IRFBC42深圳市福田区华强北老华强3号楼2楼2A1070755-32986646
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IRFBC426.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs HARRIS[Harris Corporation]HARRIS[Harris Corporation]的LOGO66.91 Kbytes共7页IRFBC42的PDF下载地址IRFAC40,IRF220,IRFD9113,IRF234,RFL1N18,RFP2N08L,IRF244,RFP2N12,IRF320,RFL2N05
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IRFBC42RHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET$1.66000