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IRF6674TR1PBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRF6674TR1PBF的规格信息
IRF6674TR1PBF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

设计资源：IRF6674TR1PBF Saber Model IRF6674TR1PBF Spice Model

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：13.4A（Ta），67A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 13.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：36nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1350pF @ 25V

功率 - 最大值：3.6W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET? 等容 MZ

供应商器件封装：DIRECTFET? MZ

其它名称：IRF6674TR1PBFTR

供应商IRF6674TR1PBF
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRF6674TR1PBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司IRF6674TR1PBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IRF6674TR1PBF深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市河锋鑫科技有限公司IRF6674TR1PBF华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市百润电子有限公司IRF6674TR1PBF深圳市华强北华强广场C座7楼001室13430483190麦逸芬Email:1943137555@qq.com询价
深圳市新启创电子科技有限公司IRF6674TR1PBF深圳市福田区华强北路赛格广场45楼4501A0755-83987343
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上海山峻电子有限公司IRF6674TR1PBF上海市嘉定区曹安路4671号协通科技大厦7层13818988389
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深圳市仓实科技有限公司IRF6674TR1PBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦310417080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
IRF6674TR1PBF及相关型号的PDF资料
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IRF6674TR1PBFCompatible with existing Surface Mount Techniques IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO255.79 Kbytes共9页IRF6674TR1PBF的PDF下载地址无
IRF6674TR1PBF的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics		IRF6674TR1PBFInternational RectifierMOSFET, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 9 mOhm, ID 13.4A, DirectFET4,000 : $1.3339
5,000 : $1.2386
6,000 : $1.156
7,000 : $1.0838
元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IRF6674TR1PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg1000+:￥9.051+:￥17.14
10+:￥9.19
100+:￥9.19
500+:￥9.19
1000+:￥9.19
2000+:￥8.78
5000+:￥8.44
10000+:￥8.21
25000+:￥8.062+:￥25.83
18+:￥19.652+:￥27.4101
10+:￥21.36
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IRF6674TR1PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg1000+:￥9.051+:￥17.14
10+:￥9.19
100+:￥9.19
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5000+:￥8.44
10000+:￥8.21
25000+:￥8.062+:￥25.83
18+:￥19.65
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IRF6674TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFETObsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IRF6674TR1PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg1000+:￥9.05
元器件资料网-Freelance Electronics的LOGO
Freelance Electronics		IRF6674TR1PBFI&Rnull 1347 D/C$0.43
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IRF6674TR1PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg1000+:￥9.051+:￥17.14
10+:￥9.19
100+:￥9.19
500+:￥9.19
1000+:￥9.19
2000+:￥8.78
5000+:￥8.44
10000+:￥8.21
25000+:￥8.06
元器件资料网-Newark element14的LOGO
Newark element14		IRF6674TR1PBFInternational RectifierN CHANNEL, MOSFET, 60V, 13.4A, DIRECTFET MZ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13.4A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V ;RoHS Compliant: Yes价格未公开
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		IRF6674TR1PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg1000+:￥9.051+:￥17.14
10+:￥9.19
100+:￥9.19
500+:￥9.19
1000+:￥9.19
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5000+:￥8.44
10000+:￥8.21
25000+:￥8.062+:￥25.83
18+:￥19.652+:￥27.4101
10+:￥21.36
20+:￥19.18
40+:￥16.7299
100+:￥15.32
元器件资料网-TME Electronic Components的LOGO
TME Electronic Components		IRF6674TR1PBFINTERNATIONAL RECTIFIERTransistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 60V; 13.4A; 89W; DirectFET1 : $0.96
5 : $0.68
25 : $0.48
元器件资料网-TME Electronic Components的LOGO
TME Electronic Components		IRF6674TR1PBFINTERNATIONAL RECTIFIERTransistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 60V; 13.4A; 89W; DirectFET1 : $0.96
5 : $0.67
25 : $0.48
IRF6674TR1PBF的相关型号
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