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IRF6641TR1PBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRF6641TR1PBF的规格信息
IRF6641TR1PBF的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

设计资源：IRF6641TR1PBF Saber Model IRF6641TR1PBF Spice Model

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.6A（Ta），26A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：59.9 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：48nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2290pF @ 25V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET? 等容 MZ

供应商器件封装：DIRECTFET? MZ

其它名称：IRF6641TR1PBFTR

供应商IRF6641TR1PBF
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深圳市辉华拓展电子有限公司IRF6641TR1PBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯幂科技有限公司IRF6641TR1PBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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IRF6641TR1PBFDirectFET TM MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO250.45 Kbytes共9页IRF6641TR1PBF的PDF下载地址IRF6614,IRF6678,IRF6611,IRF6619,IRF6635,IRF6646,IRF6633,IRF6621,IRF6645,IRF6648
IRF6641TR1PBF的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		IRF6641TR1PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 26A 60mOhm 34nC Qg1+:￥22.78
10+:￥14.99
100+:￥14.08
250+:￥14.08
500+:￥14.08
1000+:￥13.44
2000+:￥12.93
5000+:￥12.72
10000+:￥12.41+:￥27.2201
10+:￥15.65
100+:￥14.751+:￥34.97
12+:￥27.22+:￥36.42
10+:￥28.31
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元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express		IRF6641TR1PBFInternational RectifierTRANS MOSFET N-CH 200V 4.6A 7PIN DIRECT-FET MZ - Cut TR (SOS)1 : $1.55
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IRF6641TR1PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 26A 60mOhm 34nC Qg1+:￥22.78
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IRF6641TR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFETObsolete
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IRF6641TR1PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 26A 60mOhm 34nC Qg1+:￥22.78
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5000+:￥12.72
10000+:￥12.4
元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific		IRF6641TR1PBFInternational RectifierMOSFET, N, DIRECTFET, MZ
RoHS : Compliant		1 : ?4,605.0
10 : ?2,648.0
100 : ?2,496.0
250 : ?2,344.0
500 : ?2,238.0
1,000 : ?2,156.0
2,000 : ?2,051.0
5,000 : ?1,980.0
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IRF6641TR1PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 26A 60mOhm 34nC Qg1+:￥22.78
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2000+:￥12.93
5000+:￥12.72
10000+:￥12.41+:￥27.2201
10+:￥15.65
100+:￥14.75
元器件资料网-Farnell element14的LOGO
Farnell element14		IRF6641TR1PBFInternational RectifierMOSFET, N, DIRECTFET, MZ
RoHS : Compliant		250 : $1.3
1,000 : $1.24
元器件资料网-Newark element14的LOGO
Newark element14		IRF6641TR1PBFInternational RectifierN MOSFET, 200V, 3.7A, DIRECTFET MZ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):59.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:5;RoHS Compliant: Yes250 : $1.38
500 : $1.38
1,000 : $1.38
2,500 : $1.38
10,000 : $1.38
元器件资料网-RS(欧时)的LOGO
RS(欧时)		IRF6641TR1PBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 26A 60mOhm 34nC Qg1+:￥22.78
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100+:￥14.751+:￥34.97
12+:￥27.22+:￥36.42
10+:￥28.31
20+:￥25.48
40+:￥22.14
100+:￥20.33
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TME Electronic Components		IRF6641TR1PBFINTERNATIONAL RECTIFIERTransistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 4.6A; 89W; DirectFET1 : $1.5
5 : $1.05
25 : $0.75
IRF6641TR1PBF的相关型号
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