产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

设计资源：IRF6643TR1PBF Saber Model IRF6643TR1PBF Spice Model

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.2A（Ta），35A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：34.5 毫欧 @ 7.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：55nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2340pF @ 25V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET? 等容 MZ

供应商器件封装：DIRECTFET? MZ

其它名称：IRF6643TR1PBFTR