封装/外壳：DIRECTFET

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.2A（Ta），35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：55nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2340pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），89W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：34.5 毫欧 @ 7.6A，10V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

系列：HEXFET®

FET类型：N 沟道

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.2A（Ta），35A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.9V @ 150µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：55nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2340pF @ 25V

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：34.5 毫欧 @ 7.6A，10V

封装形式Package：Direct-FET

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：150V

连续漏极电流ID：6.2A

供应商器件封装：DIRECTFET™ MZ

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs