产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below

设计资源：IRF6629TR1PBF Saber Model IRF6629TR1PBF Spice Model

标准包装：4,800

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

包装：带卷（TR）

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：29A（Ta），180A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 29A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：51nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4260pF @ 13V

功率 - 最大值：2.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DirectFET? 等容 MX

供应商器件封装：DIRECTFET? MX

配用：IRDC3622D-ND - BOARD EVAL W/IR3622MPBF DUAL OUTIRDC3622S-ND - BOARD EVALUATION W/IR3622MPBF

其它名称：IRF6629TRPBFTR