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IRF630NPBF /MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
IRF630NPBF的规格信息
IRF630NPBF的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:9.3 A

Rds On-漏源导通电阻:300 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:23.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:82 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:4.9 S

下降时间:15 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:14 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:27 ns

典型接通延迟时间:7.9 ns

零件号别名:SP001564792

单位重量:6 g

供应商IRF630NPBF
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深圳市源美佳成电子有限公司IRF630NPBF新华强Q2C0350755-83204865
13715037703
王小姐Email:2355858225@POWERGS.COM询价
深圳市芯幂科技有限公司IRF630NPBF深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)
Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IRF630NPBF深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
林炜东,林俊源Email:3004003952@qq.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IRF630NPBFwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司IRF630NPBF华强广场C座18J0755-27381274
18098996457
董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市华芯盛世科技有限公司IRF630NPBF深圳市福田区上步工业区201栋530室0755-23941632
13723794312
朱先生Email:PHZHUJUNWEI@163.COM询价
集好芯城IRF630NPBF深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613
郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司IRF630NPBF航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IRF630NPBF深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司IRF630NPBF深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRF630NPBF深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
18129819897
蔡小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司IRF630NPBF深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IRF630NPBF深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IRF630NPBF深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司IRF630NPBF深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IRF630NPBF龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608
李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市赛美科科技有限公司IRF630NPBF广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
13480875861
雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
深圳市莉诚科技有限公司IRF630NPBF新安街道新安六路勤业商务中心A座42913823158773
13823158773,18124725558
Email:1574277398@qq.com询价
深圳市水星电子有限公司IRF630NPBF地址1:深圳市龙岗区平湖街道华利嘉电子市场B1C177/地址2:深圳市福田区华强北街道赛格广场6402B0755-89585609
13632880560
Email:ljw@sxdzic.cn询价
深圳市佳威星科技有限公司IRF630NPBF深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501
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IRF630NPBF的全球分销商及价格
销售商型号制造商功能描述价格
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
IRF630NPBFInfineonMOSFET, Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 0.3Ohm,ID 9.3A,TO-220AB,PD 82W,VGS +/-20V+1:$1.49
+10:$1.31
+100:$1.15
+500:$1.01
元器件资料网-Am2的LOGO
Am2
IRF630NPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC1+:¥12.65
10+:¥7.82
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1200+:¥2.2378+:¥5.46
元器件资料网-Avnet的LOGO
Avnet
IRF630NPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC1+:¥12.65
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500+:¥2.89
1000+:¥2.85
元器件资料网-Avnet Express的LOGO
Avnet Express
IRF630NPBFInternational RectifierMOSFET, 200V, 9.5A, 300 MOHM, 23.3 NC QG, TO-220AB - Rail/Tube999 : $0.3324
元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop
IRF630NPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC1+:¥12.65
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100+:¥1.95
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1000+:¥1.66
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF630NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB$0.99000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF630NPBFINFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP.MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB5 : $0.37
500 : $0.362
2,000 : $0.348
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IRF630NPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC1+:¥12.65
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
IRF630NPBFInternational RectifierMOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
RoHS : Compliant
1 : ?2,027.0
10 : ?1,025.0
100 : ?864.0
500 : ?816.0
1,000 : ?764.0
2,500 : ?702.0
10,000 : ?669.0
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子
IRF630NPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC1+:¥12.65
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10000+:¥3.95
元器件资料网-Farnell element14的LOGO
Farnell element14
IRF630NPBFInternational RectifierMOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
RoHS : Compliant
250 : $0.51
1,000 : $0.453
元器件资料网-Future Electronics的LOGO
Future Electronics
IRF630NPBFInternational RectifierSingle N-Channel 200 V 82 W 35 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
RoHS : Compliant
25 : $0.4444
300 : $0.4
1,750 : $0.3333
元器件资料网-Future(富昌)的LOGO
Future(富昌)
IRF630NPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC1+:¥12.65
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1000+:¥1.6650+:¥2.3499
1200+:¥2.23
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF630NPBFInternational RectifierFET - 单 HEXFET® 分立半导体产品 半导体 MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC1+:¥12.65
10+:¥7.82
25+:¥7
50+:¥6.3699
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1000+:¥4.74
2500+:¥4.541+:¥10.02
10+:¥5.08
100+:¥4.89
500+:¥4.61
1000+:¥4.59
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25000+:¥4.19
50000+:¥4.21
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IRF630NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
元器件资料网-Newark element14的LOGO
Newark element14
IRF630NPBFInternational RectifierN CHANNEL MOSFET, 200V, 9.3A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:- ;RoHS Compliant: Yes250 : $0.827
500 : $0.776
1,000 : $0.729
元器件资料网-RS Components的LOGO
RS Components
IRF630NPBFInternational RectifierMOSFET N-Channel 200V 9.3A TO220AB价格未公开
元器件资料网-TME Electronic Components的LOGO
TME Electronic Components
IRF630NPBFINTERNATIONAL RECTIFIERTransistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB100 : $0.281
500 : $0.255
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
IRF630NPBFInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB$0.2581
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
IRF630NPBFInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.3A 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 5.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):82W 类型:N沟道1+:¥2.89
10+:¥2.32
30+:¥2.21
100+:¥2.11
500+:¥2.06
1000+:¥2.03