典型关断延迟时间14 ns

典型接通延迟时间12 ns

典型栅极电荷@Vgs6 常闭 V @ 10

典型输入电容值@Vds150 pF V @ 25

安装类型表面贴装

宽度4mm

封装类型SOIC

尺寸5 x 4 x 1.5mm

引脚数目8

最低工作温度-55 °C

最大功率耗散2.5 W

最大栅源电压±20 V

最大漏源电压150 V

最大漏源电阻值2.4

最大连续漏极电流0.7 A

最高工作温度+150 °C

每片芯片元件数目1

类别功率 MOSFET

通道模式增强

通道类型P

配置四漏极、单、三源

长度5mm

高度1.5mm