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IRF1405ZS-7PPBF /International Rectifier/分立半导体产品
IRF1405ZS-7PPBF的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品培训模块:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

设计资源:IRF1405ZS-7P Saber Model IRF1405ZS-7P Spice Model

标准包装:50

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:HEXFET®

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):55V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.9 毫欧 @ 88A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):230nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5360pF @ 25V

功率 - 最大值:230W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB

供应商器件封装:D2PAK(7-Lead)

供应商IRF1405ZS-7PPBF
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