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IRF135S203 /MOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
IRF135S203的规格信息
IRF135S203的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:135 V

Id-连续漏极电流:129 A

Rds On-漏源导通电阻:8.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:180 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:441 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:StrongIRFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

宽度:6.22 mm

商标:Infineon / IR

正向跨导 - 最小值:200 S

下降时间:81 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:73 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:114 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:SP001570032

单位重量:4 g

供应商IRF135S203
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IRF135S203International RectifierMOSFET, 135V, 129A, 8.4 MOHM, 180 NC QG, D2-PAK - Tape and Reel999 : $1.8677
1,499 : $1.8541
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IRF135S203Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 135V 129A TO263-3$2.59000
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IRF135S203Infineon / IRMOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg1:¥29.4252
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