封装/外壳：D2PAK7P

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：135V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：160A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.9 毫欧 @ 96A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：315nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：11690pF @ 50V

功率耗散（最大值）：500W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK-7

通道类型：N

最大连续漏极电流：160 A

最大漏源电压：135 V

最大漏源电阻值：5.9 m0hms

最大栅阈值电压：4V

最小栅阈值电压：2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

引脚数目：7+Tab

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：500 W

典型接通延迟时间：20 ns

典型关断延迟时间：140 ns

典型输入电容值@Vds：11690 pF @ 50 V

典型栅极电荷@Vgs：210 nC @ 10 V

最高工作温度：+175 °C

高度：9.65mm

系列：HEXFET

每片芯片元件数目：1

宽度：4.83mm

长度：10.54mm

正向跨导：270S

正向二极管电压：1.3V

尺寸：10.54 x 4.83 x 9.65mm

最低工作温度：-55 °C

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs