产品培训模块：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装：50
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：75A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.9 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：180nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4780pF @ 25V
功率 - 最大值：230W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：TO-262
其它名称：*IRF1405ZLPBF