FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：20A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：13.7 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 20µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：39nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2890pF @ 25V

功率 - 最大值：50W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PG-TDSON-8-4

通道类型：N

最大连续漏极电流：20 A

最大漏源电压：60 V

最大漏源电阻值：20 m0hms

最大栅阈值电压：2.2V

最小栅阈值电压：1.2V

最大栅源电压：-16 V、+16 V

封装类型：TDSON

引脚数目：8

晶体管配置：隔离式

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：50 W

高度：1mm

尺寸：5.15 x 6.15 x 1mm

每片芯片元件数目：2

系列：OptiMOS T2

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：30 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：2220 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：40 ns

典型接通延迟时间：8 ns

宽度：6.15mm

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+175 °C

长度：5.15mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs