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IPG20N06S2L-50 /MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
IPG20N06S2L-50的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:50 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:51 W

配置:Dual

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

零件号别名:IPG20N06S2L50ATMA1 IPG2N6S2L5XT SP000613728

供应商IPG20N06S2L-50
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杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPG20N06S2L-50深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPG20N06S2L-50www.nowchip.com0755-27381274
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IPG20N06S2L-50OptiMOS Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO167.97 Kbytes共9页IPG20N06S2L-50的PDF下载地址
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IPG20N06S2L-50InfineonFET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET5000+:¥2.151+:¥5.04
10+:¥3.93
100+:¥2.54
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5000+:¥2.17
10000+:¥2.15
25000+:¥2.06
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IPG20N06S2L-50InfineonFET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET5000+:¥2.151+:¥5.04
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50000+:¥2.05
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Digi-Key 得捷电子
IPG20N06S2L-50InfineonFET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET5000+:¥2.15
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Mouser 贸泽电子
IPG20N06S2L-50Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS1:¥8.6784
10:¥7.4354
100:¥5.7065
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5,000:¥3.5369
10,000:查看
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Mouser 贸泽电子
IPG20N06S2L-50InfineonFET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET5000+:¥2.151+:¥5.04
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50000+:¥2.05
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立创商城
IPG20N06S2L-50Infineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥9.54
200+:¥3.69
500+:¥3.56
1000+:¥3.5
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立创商城
IPG20N06S2L-50AInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2V @ 19uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W(Tc) 类型:N沟道1+:¥10.21
200+:¥3.95
500+:¥3.81
1000+:¥3.75