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IPG20N06S2L65ATMA1 /Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S2L65ATMA1, 20 A, Vds=55 V, 8引脚 TDSON封装
IPG20N06S2L65ATMA1的规格信息
IPG20N06S2L65ATMA1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

通道类型：N

最大连续漏极电流：20 A

最大漏源电压：55 V

最大漏源电阻值：79 m0hms

最大栅阈值电压：2.2V

最小栅阈值电压：1.2V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：TDSON

安装类型：表面贴装

引脚数目：8

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：43 W

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+175 °C

每片芯片元件数目：1

长度：5.15mm

高度：1mm

系列：OptiMOS

宽度：5.9mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：9.4 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：315 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：10 ns

典型接通延迟时间：2 ns

尺寸：5.15 x 5.9 x 1mm

封装/外壳：PG-TDSON-8

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商IPG20N06S2L65ATMA1
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