销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | IPG20N06S2L-65 | Infineon | FET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET | 5000+:¥2.65011+:¥5.51 10+:¥4.44 100+:¥3.41 500+:¥3.0099 1000+:¥2.94 5000+:¥2.7 10000+:¥2.64 25000+:¥2.55 50000+:¥ |
 Digi-Key 得捷电子 | IPG20N06S2L-65 | Infineon | FET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET | 5000+:¥2.6501 |
 Mouser 贸泽电子 | IPG20N06S2L-65 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS | 1:¥7.6049 10:¥6.5201 100:¥5.0059 500:¥4.4296 5,000:¥3.0962 10,000:查看
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 Mouser 贸泽电子 | IPG20N06S2L-65 | Infineon | FET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch 55V MOSFET | 5000+:¥2.65011+:¥5.51 10+:¥4.44 100+:¥3.41 500+:¥3.0099 1000+:¥2.94 5000+:¥2.7 10000+:¥2.64 25000+:¥2.55 50000+:¥2.49 |
 立创商城 | IPG20N06S2L-65 | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-55V 栅源极阈值电压:2V @ 14uA 漏源导通电阻:65mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43W 类型:双N沟道 | 1+:¥8.42 200+:¥3.26 500+:¥3.15 1000+:¥3.09
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 立创商城 | IPG20N06S2L-65A | Infineon(英飞凌) | MOS(场效应管) | 1+:¥9.05 200+:¥3.5 500+:¥3.38 1000+:¥3.32
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