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IPG20N04S4-08 /MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4-08的规格信息
IPG20N04S4-08的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:20 A

Rds On-漏源导通电阻:7.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:65 W

配置:Dual

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS-T2

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

零件号别名:IPG20N04S408ATMA1 IPG2N4S48XT SP000705582

单位重量:200 mg

供应商IPG20N04S4-08
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现代芯城（深圳）科技有限公司IPG20N04S4-08www.nowchip.com0755-27381274
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Digi-Key 得捷电子		IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesIPG20N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT$0.61000
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Mouser 贸泽电子		IPG20N04S4-08Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T21:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.0286
5,000:¥5.2206
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立创商城		IPG20N04S4-08Infineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：4V @ 30uA 漏源导通电阻：7.6mΩ @ 17A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W 类型：双N沟道1+:￥12.08
200+:￥4.68
500+:￥4.51
1000+:￥4.43
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