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IPB80N04S3-H4 /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPB80N04S3-H4的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:IPx80N04S3-H4

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 80A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 65µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3900pF @ 25V

功率 - 最大值:115W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:PG-TO263-3

其它名称:IPB80N04S3H4ATMA1SP000415564

供应商IPB80N04S3-H4
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深圳市芯幂科技有限公司IPB80N04S3-H4深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IPB80N04S3-H4www.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB80N04S3-H4深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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梁小姐Email:dandan@bychip.cn询价
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深圳和润天下电子科技有限公司IPB80N04S3-H4深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市瑞浩芯科技有限公司IPB80N04S3-H4深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
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IPB80N04S3-H4Infineon Technologies AGMOSFET 40V 4.5mOHM AECQ TO263 RoHSconf价格未公开