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IPB80N04S3-04 /MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB80N04S3-04的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:3.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS-T

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:20 ns

零件号别名:IPB80N04S304ATMA1 IPB8N4S34XT SP000261217

单位重量:4 g

供应商IPB80N04S3-04
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深圳市威雅利发展有限公司IPB80N04S3-04华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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IPB80N04S3-04OptiMOS-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO193.03 Kbytes共9页IPB80N04S3-04的PDF下载地址
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Arrow(艾睿)
IPB80N04S3-04InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 40V 80 A1000+:¥5.481+:¥10.68
10+:¥8.53
100+:¥6.82
500+:¥6.0299
1000+:¥5.6
2000+:¥5.14
5000+:¥5.09
10000+:¥4.89
25000+:¥4.859910+:¥4.071+:¥5.04
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Avnet Express
IPB80N04S3-04Infineon Technologies Americas Inc.SP000261217_MOSFET_TR_RO1,000 : $1.1358
4,000 : $0.9465
9,000 : $0.8113
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IPB80N04S3-04Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
RoHS : Compliant
1 : $0.617
10 : $0.565
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ChipOneStop
IPB80N04S3-04InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 40V 80 A1000+:¥5.481+:¥10.68
10+:¥8.53
100+:¥6.82
500+:¥6.0299
1000+:¥5.6
2000+:¥5.14
5000+:¥5.09
10000+:¥4.89
25000+:¥4.859910+:¥4.07
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Digi-Key 得捷电子
IPB80N04S3-04Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 40V 80A TO263-31,000 : $0.75357
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Digi-Key 得捷电子
IPB80N04S3-04InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 40V 80 A1000+:¥5.48
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
IPB80N04S3-04Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 80A TO263-3$0.91000
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Mouser 贸泽电子
IPB80N04S3-04Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2942
500:¥7.1981
1,000:¥5.9664
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Mouser 贸泽电子
IPB80N04S3-04InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 40V 80 A1000+:¥5.481+:¥10.68
10+:¥8.53
100+:¥6.82
500+:¥6.0299
1000+:¥5.6
2000+:¥5.14
5000+:¥5.09
10000+:¥4.89
25000+:¥4.8599
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Rochester
IPB80N04S3-04InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 40V 80 A1000+:¥5.481+:¥10.68
10+:¥8.53
100+:¥6.82
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2000+:¥5.14
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10000+:¥4.89
25000+:¥4.859910+:¥4.071+:¥5.041+:¥5.31
25+:¥5.26
50+:¥5.21
100+:¥5.17
300+:¥5.08
500+:¥5.0299
1000+:¥4.98
5000+:¥4.96
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Rochester Electronics
IPB80N04S3-04Infineon Technologies AGN/A500 : $0.86
1,000 : $0.81
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Verical
IPB80N04S3-04Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263$0.7062
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立创商城
IPB80N04S3-04Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 90uA 漏源导通电阻:3.8mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):136W(Tc) 类型:N沟道1+:¥16.59
200+:¥6.42
500+:¥6.2
1000+:¥6.09