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IPB65R110CFDA /MOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2
IPB65R110CFDA的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:31.2 A

Rds On-漏源导通电阻:99 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:118 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:277.8 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:CoolMOS CFDA

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:68 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:IPB65R110CFDAATMA1 IPB65R11CFDAXT SP000896402

供应商IPB65R110CFDA
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深圳诚思涵科技有限公司IPB65R110CFDA深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
15302723671/15820783671		曾小姐Email:2748708193@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB65R110CFDA深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市威雅利发展有限公司IPB65R110CFDA华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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深圳市清腾科技有限公司IPB65R110CFDA深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋3190755-83993052
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深圳市佳威星科技有限公司IPB65R110CFDAATMA1深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPB65R110CFDA深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
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IPB65R110CFDA的全球分销商及价格
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Digi-Key 得捷电子		IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK$7.20000
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Digi-Key 得捷电子		IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK$6.30000
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Mouser 贸泽电子		IPB65R110CFDAInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-21:¥47.7199
10:¥43.1095
25:¥41.1094
100:¥35.6515
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Mouser 贸泽电子		IPB65R110CFDAATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 99.6A D2PAK-21:¥47.7199
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Mouser 贸泽电子		IPB65R110CFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 700V 31.2A D2PAK-2 CoolMOS CFD21:¥43.6406
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500:¥27.3573
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立创商城		IPB65R110CFDAInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：31.2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 1.3mA 漏源导通电阻：110mΩ @ 12.7A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：277.8W (Tc) 类型：N沟道1+:￥63.15
200+:￥24.44
500+:￥23.58
1000+:￥23.16
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