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IPB065N06LG /MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-
IPB065N06LG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:80 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:6.5 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:D2PAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:20 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:21 ns

工厂包装数量:1000

典型关闭延迟时间:60 ns

典型接通延迟时间:11 ns

零件号别名:IPB065N06LGXT

供应商IPB065N06LG
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IPB065N06LGOptiMOS® Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO445.16 Kbytes共10页IPB065N06LG的PDF下载地址IPD350N06LG,IPB048N06LG,IPD400N06NG,IPB050N06NG,IPD640N06LG,IPB070N06LG,IPD800N06NG,IPB070N06NG,IPP80N04S2-04,IPB080N06NG
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