FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Ta），45A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.8V @ 36µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：27nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2000pF @ 30V

功率耗散（最大值）：3W（Ta），83W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：5.7 毫欧 @ 45A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：TO-263-3

通道类型：N

最大连续漏极电流：45 A

最大漏源电压：60 V

最大漏源电阻值：0.0086 0hms

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：D2PAK (TO-263)

晶体管配置：单

引脚数目：3

通道模式：增强

类别：功率 MOSFET

最大功率耗散：83 W

最高工作温度：+175 °C

长度：10.31mm

最低工作温度：-55 °C

高度：4.57mm

每片芯片元件数目：1

正向跨导：73S

正向二极管电压：1.2V

系列：OptiMOS 5

尺寸：10.31 x 11.05 x 4.57mm

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：10 V 时，27 常闭

典型输入电容值@Vds：2000 pF @ 30 V

典型关断延迟时间：20 ns

典型接通延迟时间：12 ns

宽度：11.05mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs