IPB057N06N的供应商，IPB057N06N规格参数，IPB057N06N的PDF资料

IPB057N06N /MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

IPB057N06N的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PG-TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:45 A

Rds On-漏源导通电阻:5.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:27 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:83 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:36 S

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:IPB057N06NATMA1 IPB57N6NXT SP000962140

单位重量:2 g

IPB057N06N

IPB057N06N的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPB057N06N	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳市芯幂科技有限公司	IPB057N06N	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	IPB057N06N	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	IPB057N06N	华强广场C座18J	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IPB057N06N	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	IPB057N06N	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦510	0755-82717977-603 13332931905	谢先生	询价
深圳市佳威星科技有限公司	IPB057N06N	深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C	0755-83045910 13724343501	胡小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	IPB057N06N	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
集好芯城	IPB057N06N	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 18188616613	郑小姐	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPB057N06N	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
深圳市百域芯科技有限公司	IPB057N06N	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
集好芯城	IPB057N06N	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司	IPB057N06N	龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822	0755-89697985 18822854608	李先生	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	IPB057N06N	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPB057N06NATMA1	深圳市福田区航都大厦25F	0755-83289799 18129819897	蔡小姐	询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司	IPB057N06N	深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C	实-单-专-线V+18938047708 18938047708/18938048779	林炜东，林俊源	询价
深圳市仓实科技有限公司	IPB057N06NATMA1	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	IPB057N06N	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IPB057N06N	广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A595	0755-28309323 13480875861	雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话	询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司	IPB057N06N	深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼210	0755-83230201 19147724283，19147721680	王小姐，刘先生	询价

IPB057N06N及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
IPB057N06N	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1021.74 Kbytes	共2页	无
IPB057N06N	OptiMOSTM Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	614.39 Kbytes	共9页	无
IPB057N06N	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	263.62 Kbytes	共2页	无
IPB057N06NATMA1	MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2	Infineon Technologies	549.50 Kbytes	共9页	无
IPB057N06NATMA1	MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3	Infineon Technologies	608.76 Kbytes	共9页	无
IPB057N06NATMA1	MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK	Infineon Technologies	608.76 Kbytes	共9页	无
IPB057N06NATMA1	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.8V @ 36uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道	Infineon(英飞凌)	608.76 Kbytes	共9页	无

IPB057N06N的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Chip1Stop	IPB057N06N	Infineon Technologies AG	MOSFET RoHS : Compliant	5 : $0.78 50 : $0.62 200 : $0.55
ChipOneStop	IPB057N06N	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品	1000+:￥5.1601 2000+:￥4.81 5000+:￥4.57 10000+:￥4.4 25000+:￥4.26 50000+:￥4.121+:￥9.5201 10+:￥7.65 100+:￥5.8599 500+:￥5.21 1000+:￥5.09 2000+:￥4.6701 10000+:￥4.56 25000+:￥4.46 50000+:￥4.495+:￥5.82 10+:￥4.8599 50+:￥4.61 100+:￥4.31 200+:￥4.11
Digi-Key 得捷电子	IPB057N06N	Infineon Technologies AG	MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3	5,000 : $0.62843 2,000 : $0.6615 1,000 : $0.70875
Digi-Key 得捷电子	IPB057N06N	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品	1000+:￥5.1601 2000+:￥4.81 5000+:￥4.57 10000+:￥4.4 25000+:￥4.26 50000+:￥4.12
Digi-Key 得捷电子	IPB057N06NATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK	$1.54000
Mouser 贸泽电子	IPB057N06N	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品	1000+:￥5.1601 2000+:￥4.81 5000+:￥4.57 10000+:￥4.4 25000+:￥4.26 50000+:￥4.121+:￥9.5201 10+:￥7.65 100+:￥5.8599 500+:￥5.21 1000+:￥5.09 2000+:￥4.6701 10000+:￥4.56 25000+:￥4.46 50000+:￥4.49
Mouser 贸泽电子	IPB057N06N	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2	1:¥11.752 10:¥10.0683 100:¥7.684 500:¥6.8478 1,000:¥5.4127
Mouser 贸泽电子	IPB057N06NATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2	1:¥11.752 10:¥10.0683 100:¥7.684 500:¥6.8478 1,000:¥5.4127
Verical	IPB057N06N	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 60V 45A	$0.975
Verical	IPB057N06N	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品	1000+:￥5.1601 2000+:￥4.81 5000+:￥4.57 10000+:￥4.4 25000+:￥4.26 50000+:￥4.121+:￥9.5201 10+:￥7.65 100+:￥5.8599 500+:￥5.21 1000+:￥5.09 2000+:￥4.6701 10000+:￥4.56 25000+:￥4.46 50000+:￥4.495+:￥5.82 10+:￥4.8599 50+:￥4.61 100+:￥4.31 200+:￥4.111+:￥7.21
立创商城	IPB057N06N	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.8V @ 36uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道	1+:￥7.75 200+:￥3 500+:￥2.9 1000+:￥2.84
立创商城	IPB057N06NATMA1	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.8V @ 36uA 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道	1+:￥16.05 10+:￥12.06 30+:￥11.32 100+:￥10.59 500+:￥10.26 1000+:￥10.1

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