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IPB05N03LAG /OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB05N03LAG的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

产品种类MOSFET

晶体管极性N-Channel

汲极/源极击穿电压25 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流80 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）7.8 Ohms

配置Single

最大工作温度+ 175 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体TO-263

封装Reel

下降时间4.6 ns

最小工作温度- 55 C

功率耗散94 W

上升时间27 ns

典型关闭延迟时间32 ns

供应商IPB05N03LAG
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IPB05N03LAGOptiMOS®2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO344.12 Kbytes共9页IPB05N03LAG的PDF下载地址IPB06N03LAG,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LB,IPD10N03LAG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB09N03LAG
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