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IPB031N08N5 /MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
IPB031N08N5的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:87 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:167 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:76 S

下降时间:12 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:18 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:37 ns

典型接通延迟时间:18 ns

零件号别名:IPB031N08N5ATMA1 SP001227048

单位重量:2.240 g

供应商IPB031N08N5
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IPB031N08N5Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-21:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
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