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IPB026N06N /MOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06N的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:2.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:66 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 5

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:80 S

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:17 ns

零件号别名:IPB026N06NATMA1 IPB26N6NXT SP000962142

单位重量:2 g

供应商IPB026N06N
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IPB026N06N的全球分销商及价格
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IPB026N06NInfineon Technologies AGMOSFET
RoHS : Compliant
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50 : $1.13
200 : $0.9
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IPB026N06NInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥9.07
2000+:¥8.44
5000+:¥8.13
10000+:¥7.81
25000+:¥7.6899
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10+:¥12.51
100+:¥9.94
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1000+:¥9.28
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25000+:¥7.981+:¥22.95
25+:¥21.27
100+:¥16.43
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1000+:¥11.48
3000+:¥9.581+:¥15.68
10+:¥8.64
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Digi-Key 得捷电子
IPB026N06NInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥9.07
2000+:¥8.44
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IPB026N06NInfineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 25A TO263-31 : $2.61
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Digi-Key 得捷电子
IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK$2.14000
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element14 e络盟电子
IPB026N06NInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥9.07
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
IPB026N06NInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-21:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
1,000:¥9.4468
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IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 100A D2PAK-21:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
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1,000:¥9.4468
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Verical
IPB026N06NInfineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263$2.65
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Verical
IPB026N06NInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1000+:¥9.07
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立创商城
IPB026N06NInfineon(英飞凌)MOS(场效应管)1+:¥12.7
200+:¥4.92
500+:¥4.75
1000+:¥4.66