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IPB030N08N3G /MOSFET N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS
IPB030N08N3G的规格信息
IPB030N08N3G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:160 A

Vds-漏源极击穿电压:80 V

Rds On-漏源导通电阻:3 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

封装 / 箱体:TO-263-7

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quint Source

下降时间:14 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:79 ns

系列:OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:45 ns

典型接通延迟时间:23 ns

零件号别名:IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3GXT SP000444100

供应商IPB030N08N3G
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