系列：OptiMOS™

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：120A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3.8V @ 273µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：206nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：14400pF @ 37.5V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：2 毫欧 @ 100A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TO263-3

封装形式Package：D2PAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：75V

连续漏极电流ID：120A

漏源电压（Vdss）：75V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：206nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：14400pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：37.5V

供应商器件封装：PG-TO263-2

无铅情况/RoHs：否