FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.3A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 100µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：231pF @ 100V

FET 功能：超级结

功率耗散（最大值）：25.7W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：950 毫欧 @ 1.2A，13V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO220FP

封装/外壳：PG-TO220-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：500V

Id-连续漏极电流：4.3A

Rds On-漏源导通电阻：800mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：10.5nC

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：26W

高度：16.15mm

长度：10.65mm

系列：CoolMOSCE

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.85mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs