FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：15nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：342pF @ 100V

FET 功能：超级结

功率耗散（最大值）：27.2W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：650 毫欧 @ 1.8A，13V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO-220-FP

封装/外壳：PG-TO220-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：9A

Rds On-漏源导通电阻：590mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：15nC

最小工作温度：-40C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：27.2W

通道模式：Enhancement

商标名：CoolMOS

封装：Tube

高度：16.15mm

长度：10.65mm

系列：CoolMOSCE

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.85mm

下降时间：13ns

上升时间：5ns

典型关闭延迟时间：27ns

典型接通延迟时间：6ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs