FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 510µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：47.2nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1137pF @ 100V
FET 功能：超级结
功率耗散（最大值）：32W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 6.2A，13V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO-220-FP
封装/外壳：PG-TO220-3
Packing Type：TUBE
Moisture Level：NA
RDS (on) max：190.0mΩ
IDpuls max：63.0A
VDS max：500.0V
ID max：18.5A
Package：TO-220 FullPAK
Rth：3.9K/W
QG：47.2nC
Budgetary Price €/1k：0.62
Operating Temperature min：-55.0°C
Ptot max：32.0W
Polarity：N
Pin Count：3.0Pins
RthJA max：80.0K/W
Mounting：THT
RthJC max：3.9K/W
VGS(th) min max：2.5V 3.5V
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs