FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：500V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 130µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：280pF @ 100V

FET 功能：超级结

功率耗散（最大值）：26.4W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：800 毫欧 @ 1.5A，13V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO-220-FP

封装/外壳：PG-TO220-3

安装风格：ThroughHole

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：7.6A

Rds On-漏源导通电阻：720mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：12.4nC

最小工作温度：-40C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：26.4W

通道模式：Enhancement

商标名：CoolMOS

封装：Tube

高度：16.15mm

长度：10.65mm

系列：CoolMOSCE

晶体管类型：1N-Channel

宽度：4.85mm

下降时间：15.9ns

上升时间：5.5ns

典型关闭延迟时间：26ns

典型接通延迟时间：6.2ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs