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IHW30N135R5XKSA1 /IGBT 晶体管 TRENCHSTOP RC-H5 1200V IGBT
IHW30N135R5XKSA1的规格信息
IHW30N135R5XKSA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1350 V

集电极—射极饱和电压:1.65 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:60 A

Pd-功率耗散:330 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:RC-H5

封装:Tube

集电极最大连续电流 Ic:60 A

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:100 uA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:240

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOPâ?¢

零件号别名:IHW30N135R5

供应商IHW30N135R5XKSA1
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