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IHW20N120R3 /IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
IHW20N120R3的规格信息
IHW20N120R3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:是

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.48 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:40 A

Pd-功率耗散:310 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:RC

封装:Tube

商标:Infineon Technologies

集电极连续电流:40 A

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:240

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IHW20N120R3FKSA1 IHW2N12R3XK SP000437702

单位重量:6.056 g

供应商IHW20N120R3
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司IHW20N120R3深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
19854773352		罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IHW20N120R3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司IHW20N120R3FKSA1深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市辉华拓展电子有限公司IHW20N120R3FKSA1深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IHW20N120R3深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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IHW20N120R3Material Content Data Sheet INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO33.13 Kbytes共1页IHW20N120R3的PDF下载地址无
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IHW20N120R3的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
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Digi-Key 得捷电子		IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT, 40A, 1200V, N-CHANNEL$1.73000
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立创商城		IHW20N120R3Infineon(英飞凌)栅极阈值电压-VGE(th)：6.4V @ 500uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.7V @ 15V,20A 集电极电流（Ic）（最大值）：40A 集射极击穿电压（最大值）：1200V 类型：沟道1+:￥17.5
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