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IHW15N120R3FKSA1 /Infineon IHW15N120R3FKSA1 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 60kHz, 3引脚 TO-247封装
IHW15N120R3FKSA1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

IGBT 类型:沟道

电压 - 集射极击穿(最大值):1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):45A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.7V @ 15V,15A

功率 - 最大值:254W

开关能量:700µJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:165nC

25°C 时 Td(开/关)值:-/300ns

测试条件:600V,15A,14.6 欧姆,15V

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:PG-TO247-3

供应商器件封装:PG-TO247-3

最大连续集电极电流:30 A

最大集电极-发射极电压:1200 V

最大栅极发射极电压:±20V

最大功率耗散:254 W

封装类型:TO-247

通道类型:N

引脚数目:3

开关速度:60kHz

晶体管配置:

长度:16.13mm

宽度:5.21mm

高度:21.1mm

尺寸:16.13 x 5.21 x 21.1mm

最低工作温度:-40 °C

栅极电容:1165pF

额定能量:1.25mJ

最高工作温度:+175 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商IHW15N120R3FKSA1
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IHW15N120R3FKSA1IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic BodyInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO1.48 Mbytes共15页IHW15N120R3FKSA1的PDF下载地址
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IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body1:¥25.199
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