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IHW25N120R2 /IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
IHW25N120R2的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:IGBT 晶体管

RoHS:

技术:Si

封装 / 箱体:TO-247-3

安装风格:Through Hole

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

集电极—射极饱和电压:1.6 V

栅极/发射极最大电压:20 V

在25 C的连续集电极电流:50 A

Pd-功率耗散:365 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:600V TRENCHSTOP

封装:Tube

高度:20.95 mm

长度:15.9 mm

宽度:5.3 mm

商标:Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流:100 nA

产品类型:IGBT Transistors

工厂包装数量:240

子类别:IGBTs

商标名:TRENCHSTOP

零件号别名:IHW25N120R2FKSA1 IHW25N12R2XK SP000212016

单位重量:38 g

供应商IHW25N120R2
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IHW25N120R2Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO407.7 Kbytes共12页IHW25N120R2的PDF下载地址
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IHW25N120R2InfineonIGBT - 单路 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A1+:¥31.42
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IHW25N120R2Infineon Technologies Americas Inc.- Trays240 : $2.3964
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Digi-Key 得捷电子
IHW25N120R2Infineon Technologies AGIGBT 1200V 50A 365W TO247-310 : $3.422
1 : $3.81
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Digi-Key 得捷电子
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IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesREVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT$1.89000
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Digi-Key 得捷电子
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT 1200V 50A 365W TO247-3Obsolete
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
IHW25N120R2Infineon TechnologiesIGBT 晶体管 REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A1:¥34.0356
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立创商城
IHW25N120R2Infineon(英飞凌)栅极阈值电压-VGE(th):6.4V @ 580uA 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):1.8V @ 15V,25A 集电极电流(Ic)(最大值):50A 集射极击穿电压(最大值):1200V 类型:NPT1+:¥23.85
10+:¥20.85
30+:¥20.3
100+:¥19.75
500+:¥19.51
1000+:¥19.2