HSP3018B
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):205A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):187W 类型:N沟道
HSP3018B的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)205A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻2.4mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)187W
类型N沟道
HSP3018B
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HSP3018B | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):205A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):187W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 628.76 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSP3018B的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSP3018B | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):205A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.4mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):187W 类型:N沟道 | 1+:¥3.02 10+:¥2.22 30+:¥2.07 100+:¥1.93 500+:¥1.86 1000+:¥1.83
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