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HSP150N15 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310W 类型:N沟道
HSP150N15的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)150V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)150A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻6mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)310W

类型N沟道

供应商HSP150N15
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深圳市芯幂科技有限公司HSP150N15深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司HSP150N15深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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北京安得禄科技发展有限公司HSP150N15北京市丰台区广安路9号院国投财富广场6号楼9层91713051098960
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HSP150N15连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO736.89 Kbytes共5页HSP150N15的PDF下载地址
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HSP150N15HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A 漏源电压(Vdss):150V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):310W 类型:N沟道1+:¥13.67
10+:¥10.03
30+:¥9.36
100+:¥8.69
500+:¥8.39
1000+:¥8.24