HSP150N15
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W 类型：N沟道
HSP150N15的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）150V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）150A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻6mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）310W
类型N沟道
HSP150N15
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| HSP150N15 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W 类型：N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 736.89 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSP150N15的全球分销商及价格
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立创商城 | HSP150N15 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：150A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W 类型：N沟道 | 1+:￥13.67
10+:￥10.03
30+:￥9.36
100+:￥8.69
500+:￥8.39
1000+:￥8.24
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