HSP200N02
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W 类型：N沟道
HSP200N02的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）70A
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻33mΩ @ 60A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）200W
类型N沟道
HSP200N02
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| HSP200N02 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W 类型：N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 694.26 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
HSP200N02的全球分销商及价格
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立创商城 | HSP200N02 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：33mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W 类型：N沟道 | 1+:￥6.39
10+:￥4.69
30+:￥4.38
100+:￥4.07
500+:￥3.93
1000+:￥3.86
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