HSP18N20
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道
HSP18N20的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）18A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻170mΩ @ 9A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）83W
类型N沟道
HSP18N20
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| HSP18N20 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：170mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 382.87 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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10+:￥2.08
30+:￥1.94
100+:￥1.81
500+:￥1.74
1000+:￥1.71
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