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HSP120N08 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W 类型:N沟道
HSP120N08的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)80V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A

栅源极阈值电压4.0V @ 250uA

漏源导通电阻5.7mΩ @ 50A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)220W

类型N沟道

供应商HSP120N08
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HSP120N08连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W 类型:N沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO1.25 Mbytes共6页HSP120N08的PDF下载地址
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HSP120N08HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W 类型:N沟道1+:¥2.64
10+:¥1.94
30+:¥1.81
100+:¥1.69
500+:¥1.63
1000+:¥1.6