HSP120N08
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W 类型:N沟道
HSP120N08的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A
栅源极阈值电压4.0V @ 250uA
漏源导通电阻5.7mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)220W
类型N沟道
HSP120N08
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HSP120N08 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W 类型:N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 1.25 Mbytes | 共6页 |  | 无 |
HSP120N08的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSP120N08 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):80V 栅源极阈值电压:4.0V @ 250uA 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):220W 类型:N沟道 | 1+:¥2.64 10+:¥1.94 30+:¥1.81 100+:¥1.69 500+:¥1.63 1000+:¥1.6
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