HSM3206
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道
HSM3206的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）13A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻6mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.5W
类型双N沟道
HSM3206
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| HSM3206 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 2.20 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
HSM3206的全球分销商及价格
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立创商城 | HSM3206 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道 | 1+:￥2.27
10+:￥1.67
30+:￥1.56
100+:￥1.45
500+:￥1.4
1000+:￥1.37
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