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HSM3107 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道
HSM3107的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻62mΩ @ 4A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W

类型P沟道

供应商HSM3107
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HSM3107连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道HUASHUO(华朔)HUASHUO(华朔)的LOGO444.30 Kbytes共5页HSM3107的PDF下载地址
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HSM3107HUASHUO(华朔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道10+:¥0.333826
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