HSM3107
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道
HSM3107的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻62mΩ @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型P沟道
HSM3107
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HSM3107 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 444.30 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | HSM3107 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:62mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 | 10+:¥0.333826 100+:¥0.243862 300+:¥0.227338 1000+:¥0.210814 5000+:¥0.20347 10000+:¥0.199841
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