HSM3115
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.7mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道
HSM3115的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)14A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻8.7mΩ @ 12A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型P沟道
HSM3115
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HSM3115 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.7mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 | HUASHUO(华朔) |  | 2.76 Mbytes | 共5页 |  | 无 |
HSM3115的全球分销商及价格
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 立创商城 | HSM3115 | HUASHUO(华朔) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.7mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:P沟道 | 1+:¥1.2884 10+:¥0.9485 30+:¥0.8861 100+:¥0.8237 500+:¥0.7959 1000+:¥0.7822
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